CS-8000 - High Power Curve Tracer IWATSU CS-8000
Il nuovo Curve Tracer IWATSU CS-8000 è stato progettato specificatamente per la caratterizzazione dei dispositivi ad alta potenza quali Silicon Carbide (SiC) e Gallium Nitride (GaN).
Il nuovo Curve Tracer IWATSU CS-8000 è stato progettato specificatamente per la caratterizzazione dei dispositivi ad alta potenza quali Silicon Carbide (SiC) e Gallium Nitride (GaN); dispone di:
- Unità ad altra corrente fino a 2.000A e con risoluzione fino a 250fA
- Unità ad alta tensione fino a 5.000V (8mA)
- Ampio touchscreen da 12,1 pollici con modalità oscilloscopio I(t), V(t)
- Controllo completo dei settaggi della misura sia in manuale che da remoto
- Test ad alta potenza On-Wafer con Wafer-Prober
- Varie funzioni di uscita del segnale GATE
- User Interface semplice ed intuitiva
CS-8000
Termini e condizioni
Termini di consegna indicativi
Strumenti disponibili a magazzino salvo il venduto (tutti i marchi): 2/3 giorni lavorativi
Pagamento
Bonifico ad avviso merce pronta (sconto 2%), carta o PayPal.
Condizioni di pagamento diverse dovranno essere concordate con il nostro ufficio amministrativo.
Garanzia
I prodotti, nuovi o provenienti dal parco demo, sono coperti dalle condizioni di garanzia standard del Costruttore, eventuali prodotti usati sono coperti da garanzia limitata comunicata di volta in volta.
Iva
I prezzi esposti sono da intendersi iva esclusa, sarà applicata l'aliquota di legge in vigore al momento dell'acquisto.
Resa
Spedizione gratuita da 500 euro. Da 200 a 500 euro: 15,00 € di spedizione. Sotto 200 euro: 45,00 € di gestione pratica.
Diritto di recesso
Gli acquisti di materiale nuovo effettuati tramite il sito possono essere resi a Giakova entro 30 giorni solari dalla data di ricevimento degli stessi,in porto franco ,privi di segni d'uso, completi di tutti gli accessori ed imballo originali.
Il corrispettivo pagato verrà interamente rimborsato.
Il nuovo Curve Tracer IWATSU CS-8000 è stato progettato specificatamente per la caratterizzazione dei dispositivi ad alta potenza quali Silicon Carbide (SiC) e Gallium Nitride (GaN).